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TMS29LF800B-120SEB

更新时间: 2024-09-22 10:25:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 2782K
描述
IC IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC, Programmable ROM

TMS29LF800B-120SEB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP44,.63Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G44
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP44,.63封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
就绪/忙碌:YES部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.06 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

TMS29LF800B-120SEB 数据手册

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