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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, SOP44,.63 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | TOP | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,15 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP44,.63 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS29VF040 | TI |
获取价格 |
524288 BY 8-BIT FLASH MEMORIES |
|
| TMS29VF040-10C5DBWE | TI |
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512KX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
|
| TMS29VF040-10C5DBWL | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
|
| TMS29VF040-10C5DDE | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO32 |
|
| TMS29VF040-10C5DDL | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO32 |
|
| TMS29VF040-10C5FME | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PQCC32, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, LCC-32 |
|
| TMS29VF040-10C5FML | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PQCC32, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, LCC-32 |
|
| TMS29VF040-12C5DBWE | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
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| TMS29VF040-12C5DBWL | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| TMS29VF040-12C5DDE | TI |
获取价格 |
512KX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO32 |
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