生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM144,32 | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
座面最大高度: | 25.4 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.8 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TM2EJ64DPN-70 | TI |
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2MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA144, DIMM-144 | |
TM2EJ64EPN | TI |
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EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES â | |
TM2EJ64EPN-50 | TI |
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2MX64 EDO DRAM MODULE, 50ns, DMA144, DIMM-144 | |
TM2EJ64EPN-60 | TI |
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2MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144, DIMM-144 | |
TM2EJ64EPN-70 | TI |
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2MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA144, DIMM-144 | |
TM2EP64DJN | TI |
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EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES | |
TM2EP64DJN-50 | TI |
获取价格 |
2MX64 EDO DRAM MODULE, 13ns, DMA168, DIMM-168 | |
TM2EP64DJN-60 | TI |
获取价格 |
2MX64 EDO DRAM MODULE, 15ns, DMA168, DIMM-168 | |
TM2EP64DJN-70 | TI |
获取价格 |
2MX64 EDO DRAM MODULE, 18ns, DMA168, DIMM-168 | |
TM2EP64DJNDZ | TI |
获取价格 |
暂无描述 |