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TM2EP64DJN

更新时间： 2024-02-25 13:21:08
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
43页 679K
描述
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES

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TM2EP64DJN 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：,针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX64
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TM2EP64DJN 数据手册

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SMMS684A − AUGUST 1997 − REVISED FEBRUARY 1998  
D
Organization  
D
JEDEC 168-Pin Dual-In-Line Memory  
Module (DIMM) Without Buffer for Use With  
Socket  
− TM2EP64DxN . . . 2097152 × 64 Bits  
− TM2EP72DxN . . . 2097152 × 72 Bits  
− TM4EP64DxN . . . 4194304 × 64 Bits  
− TM4EP72DxN . . . 4194304 × 72 Bits  
Single 3.3-V Power Supply  
( 10% Tolerance)  
D
D
D
D
High-Speed, Low-Noise LVTTL Interface  
Long Refresh Period: 32 ms (2 048 Cycles)  
3-State Output  
D
D
Extended-Data-Out (EDO) Operation With  
CAS-Before-RAS (CBR), RAS-Only, and  
Hidden Refresh  
TM2EP64DxN — Uses Eight 16M-Bit  
(2M×8-Bit) Dynamic Random Access  
Memories (DRAMs) in Thin Small-Outline  
Package (TSOP), or Small-Outline J-Lead  
Package (SOJ)  
D
D
D
Serial Presence Detect (SPD) Using  
EEPROM  
Ambient Air Temperature Range  
0°C to 70°C  
Gold-Plated Contacts  
D
D
D
D
TM2EP72DxN — Uses Nine 16M-Bit  
(2M×8-Bit) DRAMs in TSOP, or SOJ  
TM4EP64DxN — Uses 16 16M-Bit  
(2M×8-Bit) DRAMs in TSOP, or SOJ  
TM4EP72DxN — Uses 18 16M-Bit  
(2M×8-Bit) DRAMs in TSOP, or SOJ  
Performance ranges  
ACCESS ACCESS ACCESS  
TIME TIME TIME  
EDO  
CYCLE  
t
t
t
t
RAC  
CAC  
AA  
HPC  
MAX  
50 ns  
60 ns  
70 ns  
MAX  
13 ns  
15 ns  
18 ns  
MAX  
25 ns  
30 ns  
35 ns  
MIN  
’xEPxxDxN-50  
’xEPxxDxN-60  
’xEPxxDxN-70  
20 ns  
25 ns  
30 ns  
description  
The TM2EP64DPN is a 16M-byte, 168-pin, dual-in-line memory module (DIMM). The DIMM is composed of  
eight TMS427809A, 2097152 byte × 8-bit 2K-refresh EDO DRAMs, each in a 400-mil, 28-pin plastic TSOP  
(DGC suffix) mounted on a substrate with decoupling capacitors. See the TMS427809A data sheet (literature  
number SMKS887). The TM2EP64DJN is available with an SOJ package (DZ suffix).  
The TM2EP72DPN is a 16M-byte, 168-pin DIMM. The DIMM is composed of nine TMS427809A,  
2097152 byte × 8-bit 2K-refresh EDO DRAMs, mounted on a substrate with decoupling capacitors. See the  
TMS427809A data sheet (literature number SMKS887). The TM2EP72DJN is available with an SOJ package  
(DZ suffix).  
The TM4EP64DPN is a 32M-byte, 168-pin, dual-in-line memory module (DIMM). The DIMM is composed of  
sixteen TMS427809A, 2097152 × 8-bit 2K-refresh EDO DRAMs, mounted on a substrate with decoupling  
capacitors. The TM4EP64DJN is available with an SOJ package (DZ suffix).  
The TM4EP72DPN is a 32M-byte, 168-pin DIMM. The DIMM is composed of 18 TMS427809A, 2097152 × 8-bit  
2K-refresh EDO DRAMs, mounted on a substrate with decoupling capacitors. See the TMS427809A data sheet  
(literature number SMKS887). The TM4EP72DJN is available with an SOJ package (DZ suffix).  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
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