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TK5P50D

更新时间： 2024-01-30 02:20:50

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管开关脉冲
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Silicon N Channel MOS Type (Ï-MOSâ¦)

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TK5P50D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	128 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK5P50D 数据手册

TK5P50D

Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

Switching Regulator Applications

Unit: mm

6.6 ± 0.2

5.34 ± 0.13

•

Low drain-source ON-resistance: R

High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 3.0 S (typ.)

= 1.3 Ω (typ.)

DS (ON)

0.58MAX

Low leakage current: I

= 10 μA (max) (V

= 500 V)

DSS

Enhancement-mode: V = 2.4 to 4.4 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

1.14MAX

2.29

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

0.76 ± 0.12

500

±30

DSS

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

1. GATE

2. DRAIN

（HEAT SINK）

3. SOURCE

(Note 1)

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

128

(Note 2)

JEDEC

JEITA

⎯

Avalanche current

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

TOSHIBA

2-7K1A

150

Weight : 0.36 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.

reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

1.56

125

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 8.67 mH, R = 25 Ω, I = 5 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

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