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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK07H90A
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TK07H90A

更新时间： 2024-11-20 03:08:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 239K
描述
Switching Regulator Applications

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TK07H90A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：491 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK07H90A 数据手册

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TK07H90A  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS IV)  
TK07H90A  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 1.6Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | =5.0 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current  
z Enhancement mode  
: I  
= 100 μA (max) (V  
= 720V)  
DSS  
DS  
: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
900  
900  
±30  
7
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
1: GATE  
Drain current  
2: DRAIN (HEAT SINK)  
3: SOURCE  
I
21  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
150  
W
D
AS  
AR  
Single-pulse avalanche energy  
JEDEC  
JEITA  
―
―
E
491  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
7
15  
A
TOSHIBA  
2-16K1A  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 3.8 g (typ.)  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.833  
50  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 18.4 mH, R = 25 Ω, I  
V
DD  
= 7 A  
AR  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2006-11-13  
123456

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