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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP30CTU
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TIP30CTU

更新时间： 2024-11-05 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 143K
描述
1.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor, 1000-TUBE

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TIP30CTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.33
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP30CTU 数据手册

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TIP29, A, B, C (NPN),  
TIP30, A, B, C (PNP)  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistors  
Designed for use in general purpose amplifier and switching  
applications. Compact TO−220 AB package.  
http://onsemi.com  
Features  
1 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY SILICON  
40, 60, 80, 100 VOLTS,  
80 WATTS  
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
29  
30  
29A  
30A  
29B  
30B  
29C  
30C  
Rating  
Symbol  
Unit  
Collector − Emitter  
V
CEO  
40  
60  
80  
100  
Vdc  
Voltage  
MARKING  
DIAGRAM  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
V
40  
60  
80  
100  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CB  
V
5.0  
EB  
Collector Current  
− Continuous  
− Peak  
I
C
4
1.0  
3.0  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 1  
TIPxxxG  
AYWW  
Base Current  
I
0.4  
Adc  
B
Total Power Dissipation  
P
D
STYLE 1:  
PIN 1. BASE  
30  
0.24  
W
W/°C  
@ T = 25°C  
C
1
Derate above 25°C  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
4. COLLECTOR  
2
3
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
2.0  
0.016  
W
W/°C  
A
Unclamped Inductive  
Load Energy (Note 1)  
E
32  
mJ  
TIPxxx = Device Code:  
29, 29A, 29B, 29C  
30, 30A, 30B, 30C  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Range  
T , T  
–65 to +150  
°C  
J
stg  
A
Y
WW  
G
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
62.5 °C/W  
4.167 °C/W  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
R
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. This rating based on testing with L = 20 mH, R = 100 W, V = 10 V, I =  
C
BE  
CC  
C
1.8 A, P.R.F = 10 Hz  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 11  
TIP29B/D  
 
12345

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TIP30CTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP30CG ONSEMI

类似代替

 1.0 A，100 V，PNP 双极功率晶体管
TIP30C ONSEMI

类似代替

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TIP30B ONSEMI

类似代替

 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

与TIP30CTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP30CU2 MOTOROLA

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 		1A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30CUA MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP30CWD MOTOROLA

获取价格

 		1A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30-DR6259 RENESAS

获取价格

 		3A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30-DR6260 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP30-DR6269 RENESAS

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