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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP30C
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TIP30C

更新时间： 2024-11-06 03:59:43
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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TIP30C 数据手册

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by TIP29B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
Compact TO–220 AB package.  
MAXIMUM RATINGS  
TIP29B  
TIP30B  
TIP29C  
TIP30C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
1 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
1.0  
3.0  
80–100 VOLTS  
30 WATTS  
Base Current  
I
B
0.4  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy  
(See Note 3)  
E
32  
mJ  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
62.5  
C/W  
C/W  
θJA  
4.167  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
V
80  
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current (V  
= 60 Vdc, I = 0)  
I
CEO  
—
0.3  
mAdc  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
EB  
= 0)  
= 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
—
—
200  
200  
EB  
Emitter Cutoff Current (V  
BE  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
mAdc  
—
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
h
FE  
40  
15  
—
75  
C
CE  
CE  
DC Current Gain (I = 1.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 1.0 Adc, I = 125 mAdc)  
V
CE(sat)  
—
—
0.7  
1.3  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 1.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (2)  
f
3.0  
20  
—
—
MHz  
—
T
(I = 200 mAdc, V  
C CE  
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
test  
Small–Signal Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
C
CE  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
(2) f = h • f  
.
T
fe test  
(3) This rating based on testing with L = 20 mH, R  
C
= 100 Ω, V = 10 V, I = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.  
CC C  
BE  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
1234

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TIP30C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP30CG ONSEMI

类似代替

 1.0 A，100 V，PNP 双极功率晶体管
TIP30CTU ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP30C16A MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP30C-6200 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		1A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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