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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP30CG
TIP30CG PDF预览

TIP30CG

更新时间： 2024-11-24 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
1.0 A，100 V，PNP 双极功率晶体管

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TIP30CG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.69
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP30CG 数据手册

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by TIP29B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
Compact TO–220 AB package.  
MAXIMUM RATINGS  
TIP29B  
TIP30B  
TIP29C  
TIP30C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
1 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
1.0  
3.0  
80–100 VOLTS  
30 WATTS  
Base Current  
I
B
0.4  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy  
(See Note 3)  
E
32  
mJ  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
62.5  
C/W  
C/W  
θJA  
4.167  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
V
80  
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current (V  
= 60 Vdc, I = 0)  
I
CEO  
—
0.3  
mAdc  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
EB  
= 0)  
= 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
—
—
200  
200  
EB  
Emitter Cutoff Current (V  
BE  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
mAdc  
—
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
h
FE  
40  
15  
—
75  
C
CE  
CE  
DC Current Gain (I = 1.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 1.0 Adc, I = 125 mAdc)  
V
CE(sat)  
—
—
0.7  
1.3  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 1.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (2)  
f
3.0  
20  
—
—
MHz  
—
T
(I = 200 mAdc, V  
C CE  
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
test  
Small–Signal Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
C
CE  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
(2) f = h • f  
.
T
fe test  
(3) This rating based on testing with L = 20 mH, R  
C
= 100 Ω, V = 10 V, I = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.  
CC C  
BE  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
1234

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TIP30CG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP32BG ONSEMI

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 		1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP30CN MOTOROLA

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 		1A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30CPNP CDIL

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 		PLASTIC POWER TRANSISTORS
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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
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