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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP3055G
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TIP3055G

更新时间： 2024-11-04 12:02:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
Complementary Silicon Power Transistors

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TIP3055G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-218包装说明：LEAD FREE, CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：0.79Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：90 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2.5 MHzBase Number Matches：1

TIP3055G 数据手册

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TIP3055 (NPN),  
TIP2955 (PNP)  
Complementary Silicon  
Power Transistors  
Designed for general−purpose switching and amplifier applications.  
http://onsemi.com  
Features  
• DC Current Gain −  
15 AMPERE  
h
FE  
= 20ꢀ−ꢀ70 @ I  
C
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY SILICON  
60 VOLTS, 90 WATTS  
= 4.0 Adc  
• Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 1.1 Vdc (Max) @ I  
= 4.0 Adc  
C
• Excellent Safe Operating Area  
• These are Pb−Free Devices*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
SOT−93 (TO−218)  
CASE 340D  
STYLE 1  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Base Current  
V
CEO  
CER  
V
70  
V
CB  
100  
7.0  
1 5  
V
EB  
I
C
I
B
7.0  
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 3  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
90  
0.72  
W
W/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–ꢀ65 to  
+ꢀ150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
NOTE: Effective June 2012 this device will  
be available only in the TO−247  
Symbol  
Max  
1.39  
35.7  
Unit  
°C/W  
°C/W  
package. Reference FPCN# 16827.  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JC  
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
May, 2012 − Rev. 7  
TIP3055/D  
123456

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TIP3055G 替代型号

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