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TIP125

更新时间： 2024-02-05 05:37:43

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描述
Darlington Power Transistors (PNP)

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TIP125 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	65 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

TIP125 数据手册

Darlington Power Transistors (PNP)

TIP125/126/127

Darlington Power Transistors (PNP)

Features

• Designed for general-purpose amplifier and low speed

switching applications

• RoHS Compliant

TO-220

Mechanical Data

Case:

Terminals:

Weight:

TO-220, Plastic Package

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

0.08 ounces, 2.24 grams

Maximum Ratings (T _Ambient=25ºC unless noted otherwise)

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Description

Collector-Base Voltage

TIP125

TIP126

TIP127

100

Unit

Collector-Emitter Voltage

100

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current Continuous

5.0

Collector Current Peak

8.0

ICM

Base Current

120

Power Dissipation upto TC=25°C

Power Dissipation Derate above TC=25°C

Power Dissipation upto TA=25°C

Power Dissipation Derate above TA=25°C

Thermal Resistance from Junction to Ambient in Free Air

Thermal Resistance from Junction to Case

Operating Junction and Storage Temperature Range

0.52

2.0

W/° C

mW/° C

° C /W

° C

62.5

1.92

-65 to +150

RθJA

RθJC

TJ, TSTG

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com

Rev. A/AH 2008-06-13

Page 1 of 4

Tel: (800)-TAITRON (800)-824-8766

Fax: (800)-TAITFA (800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

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