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TIM6472-12UL

更新时间： 2024-02-21 09:48:21

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东芝 - TOSHIBA		晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
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描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM6472-12UL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	20 weeks	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	62.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

TIM6472-12UL 数据手册

MICROWAVE POWER GaAs FET

MICROWAVE SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

TIM6472-12UL

FEATURES

ꢀ HIGH POWER

P1dB=41.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz

ꢀ HIGH GAIN

ꢀBROAD BAND INTERNALLY MATCHED

ꢀHERMETICALLY SEALED PACKAGE

G1dB=9.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz

RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25°C )

CHARACTERISTICS

Output Power at 1dB

Compression Point

Power Gain at 1dB

Compression Point

Drain Current

SYMBOL

P1dB

CONDITION

UNIT MIN. TYP. MAX.

dBm 40.5 41.5

VDS= 10V

G1dB

8.5

9.5

3.2

f = 6.4 – 7.2GHz

IDS1

∆G

3.8

Gain Flatness

±0.6

Power Added Efficiency

3rd Order Intermodulation

Distortion

η_add

IM3

Two Tone Test

Po=30.5dBm

dBc

-44

-47

(Single Carrier Level)

Drain Current

IDS2

3.2

3.8

Channel Temperature Rise

∆Tch

VDS X IDS X Rth(c-c)

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25°C )

CHARACTERISTICS

Transconductance

SYMBOL

CONDITION

VDS= 3V

IDS= 4.0A

UNIT MIN. TYP. MAX.

2500

-2.5

7.2

Pinch-off Voltage

VGSoff VDS= 3V

IDS= 40mA

IDSS

-1.0

-5

-4.0

Saturated Drain Current

VDS= 3V

VGS= 0V

10.0

Gate-Source Breakdown

Voltage

VGSO IGS= -140µA

Thermal Resistance

Rth(c-c) Channel to Case

°C/W

2.0

2.4

ꢁThe information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is

assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,

No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.

The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA

before proceeding with design of equipment incorporating this product.

Apr. 2000

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TIM6472-12UL_09	TOSHIBA	HIGH POWER P1dB=41.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz	获取价格
TIM6472-16	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power	获取价格
TIM6472-16EL	TOSHIBA	TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 7-AA05A, 2 PIN, FET	获取价格
TIM6472-16L	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power	获取价格
TIM6472-16SL	TOSHIBA	TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN, FET	获取价格
TIM6472-16UL	TOSHIBA	HIGH POWER P1dB=42.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz	获取价格

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