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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | 2-9D1B, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIM0910-5 | TOSHIBA |
功能相似  |
MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA |
|
| TIM0910-4 | TOSHIBA |
功能相似 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM0910-15L | TOSHIBA |
功能相似 |
MICROWAVE POWER GAAS FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM0910-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET |
|
| TIM0910-4 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM0910-5 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA |
|
| TIM0910-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAS FET |
|
| TIM1011-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power |
|
| TIM1011-10L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1011-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power |
|
| TIM1011-15L | TOSHIBA |
获取价格 |
P1dB=42.0dBm at 10.7GHz to 11.7GHz |
|
| TIM1011-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power |
|
| TIM1011-2L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
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