TIM1011-2L

更新时间： 2024-09-29 21:55:47

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管微波局域网
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描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM1011-2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.6 A
最大漏极电流 (ID)：	2.6 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

TIM1011-2L 数据手册

TOSHIBA

MICROWAVE SEMICONDUCTOR

MICROWAVE POWER GaAs FET

TIM1011-2L

TECHNICAL DATA

FEATURES

HIGH POWER

P1dB=33.5dBm at 10.7GHz to 11.7GHz

HIGH GAIN

BROAD BAND INTERNALLY MATCHED

HERMETICALLY SEALED PACKAGE

G1dB=7.5dB at 10.7GHz to 11.7GHz

RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )

CHARACTERISTICS

Output Power at 1dB

Compression Point

Power Gain at 1dB

Compression Point

Drain Current

SYMBOL

P1dB

CONDITION

MIN. TYP. MAX. UNIT

32.5 33.5

dBm

VDS= 9V

G1dB

6.5

-42

7.5

f =10.7-11.7GHz

IDS1

η_add

IM3

0.85

1.1

Power Added Efficiency

3rd Order Intermodulation

Distortion

Two Tone Test

P=22dBm

-45

dBc

(Single Carrier Level)

Drain Current

IDS2

0.85

1.1

Channel Temperature Rise

∆Tch

VDS X IDS X Rth(c-c)

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )

CHARACTERISTICS

Transconductance

SYMBOL

CONDITION

VDS= 3V

IDS=1.0A

MIN. TYP. MAX. UNIT

600

Pinch-off Voltage

VGSoff VDS= 3V

IDS= 30mA

-2.0 -3.5 -5.0

Saturated Drain Current

IDSS

VDS= 3V

VGS= 0V

IGS= -30µA

2.0

5.0

2.6

Gate-Source Breakdown

Voltage

VGSO

-5

Thermal Resistance

Rth(c-c) Channel to Case

6.0

°C/W

♦ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is

assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use, No

license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.

The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA

before proceeding with design of equipment incorporating this product.

TOSHIBA CORPORATION

Apr. 2000

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIM1011-2UL	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET
TIM1011-4L	TOSHIBA	获取价格	MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1011-5	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1011-5L	TOSHIBA	获取价格	MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1011-8	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1011-8L	TOSHIBA	获取价格	MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1011-8UL	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET
TIM105K025P0X	CDE	获取价格	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105K035P0X	CDE	获取价格	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105K035P0X	VISHAY	获取价格	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through

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