5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> TIM1011-8L
TIM1011-8L PDF预览

TIM1011-8L

更新时间： 2024-09-30 03:27:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 183K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

TIM1011-8L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.59
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：10.4 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TIM1011-8L 数据手册

 浏览型号TIM1011-8L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIM1011-8L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIM1011-8L的Datasheet PDF文件第4页 
MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1011-8L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3=-45 dBc at Pout= 28.0dBm  
Single Carrier Level  
„ HIGH GAIN  
G1dB=6.0 dB at 10.7 GHz to 11.7 GHz  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
„ HIGH POWER  
P1dB=39.5 dBm at 10.7 GHz to 11.7 GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 38.5 39.5  
⎯
G1dB  
VDS= 9V  
f= 10.7 to 11.7GHz  
dB  
5.0  
6.0  
⎯
IDS1  
ηadd  
IM3  
A
%
3.4  
22  
4.4  
⎯
⎯
⎯
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
dBc  
-42  
-45  
⎯
Two-Tone Test  
Po=28. 0dBm  
Drain Current  
IDS2  
A
3.4  
4.4  
80  
⎯
⎯
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
⎯
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 150 Ω(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
2400  
-3.5  
8.0  
⎯
-2.0  
⎯
⎯
-5.0  
⎯
IDS= 4.0 A  
VDS= 3V  
IDS= 120mA  
VDS= 3V  
Pinch-off Voltage  
VGSoff  
IDSS  
V
Saturated Drain Current  
A
VGS= 0V  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
Rth(c-c)  
IGS= -120μA  
V
-5  
⎯
⎯
C/W  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
1.6  
2.5  
°
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. May 2007  
1234

中文翻译

下载PDF

TIM1011-8L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIM1011-2 TOSHIBA

功能相似

 TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1011-5L TOSHIBA

功能相似

 MICROWAVE POWER GaAs FET

与TIM1011-8L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM1011-8UL TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET
TIM105K025P0X CDE

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105K035P0X CDE

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105K035P0X VISHAY

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105K050P0W CDE

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105K050P0W VISHAY

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, 3423
TIM105K050P0X VISHAY

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, 2229
TIM105K050P0X CDE

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Through
TIM105M025P0X CDE

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF, Through
TIM105M025P0X VISHAY

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF, 2229

与TIM1011-8L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证