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TIM0910-20

更新时间： 2024-09-30 19:54:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET RF Power

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TIM0910-20 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A
最大漏极电流 (ID)：13 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：X BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：120 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

TIM0910-20 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
TIM0910-20  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
P1dB=43.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz  
„ HIGH GAIN  
G1dB=7.0dB at 9.5GHz to 10.5GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB  
Compression Point  
Power Gain at 1dB  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
P1dB  
CONDITION  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
dBm 42.0 43.0  
VDS= 9V  
f = 9.5 – 10.5GHz  
G1dB  
dB  
6.0  
7.0  
I
(RF ) 4.5 A  
DS off  
IDS  
ηadd  
∆Tch  
A
%
6.5  
27  
7.5  
Power Added Efficiency  
Channel Temperature Rise  
VDS×IDS×Rth(c-c)  
°C  
100  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
Transconductance  
SYMBOL  
gm  
CONDITION  
VDS= 2V  
IDS= 5.5A  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
S
16  
Pinch-off Voltage  
VGSoff VDS= 2V  
IDS= 50mA  
V
-0.3  
-5  
-0.7  
-1.1  
Saturated Drain Current  
IDSS  
VDS= 2V  
VGS= 0V  
A
11.0 13.0  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO IGS= -600µA  
V
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
°C/W  
1.6  
2.1  
The X/Ku-Band 20W device(TIM0910-20) is a high power GaAs FET that has high transconductance (gm). VGS for setting IDS  
properly should be low. Therefore, there is a possibility that the positive gate current (IgRF) flows, when output power is as high as  
P1dB. IgRF and/or IDS fluctuate sharply when the RF input power level or VDS changes abruptly. Please give appropriate attention to  
the bias circuit design, not to cause the induced voltage that is generated by the inductance and so on.  
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Revised Aug. 2000  
1234

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