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THM81001S-12

更新时间: 2024-11-11 19:59:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 1251K
描述
MEMORY MODULE,DRAM,NIBBLE MODE,1MX8,CMOS,SIM,30PIN,PLASTIC

THM81001S-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM, SIM30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N30内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM内存宽度:8
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SIM30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:20.32 mm
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.4 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

THM81001S-12 数据手册

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