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THM72V8015BTG-5

更新时间: 2024-11-11 20:59:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1069K
描述
IC 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, Dynamic RAM

THM72V8015BTG-5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:603979776 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX72封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.47 V最小供电电压 (Vsup):3.13 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

THM72V8015BTG-5 数据手册

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