是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 153 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B153 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 8589934592 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 153 |
字数: | 1073741824 words | 字数代码: | 1000000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 1GX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NAND TYPE | 宽度: | 11.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
THGBM1G4D1EBAI7 | TOSHIBA | IC 1G X 16 FLASH 3.3V PROM, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.30 MM HEIGHT, BGA-169, Programmable ROM |
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THGBM1G5D2EBAI7 | TOSHIBA | IC 2G X 16 FLASH 3.3V PROM, PBGA169, 12 X 16 MM, 1.30 MM HEIGHT, BGA-169, Programmable ROM |
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THGBM1G6D4EBAI4 | TOSHIBA | IC 4G X 16 FLASH 3.3V PROM, PBGA169, 12 X 18 MM, 1.30 MM HEIGHT, BGA-169, Programmable ROM |
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THGBM1G7D4EBAI2 | TOSHIBA | IC 4G X 32 FLASH 3.3V PROM, PBGA169, 14 X 18 MM, 1.40 MM HEIGHT, BGA-169, Programmable ROM |
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THGBM1G7D8EBAI0 | TOSHIBA | IC 8G X 16 FLASH 3.3V PROM, PBGA169, 12 X 18 MM, 1.40 MM HEIGHT, BGA-169, Programmable ROM |
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THGBM1G8D8EBAI2 | TOSHIBA | IC 8G X 32 FLASH 3.3V PROM, PBGA169, 14 X 18 MM, 1.40 MM HEIGHT, BGA-169, Programmable ROM |
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