5秒后页面跳转
THGBM4T0DBOBAIJ PDF预览

THGBM4T0DBOBAIJ

更新时间: 2024-01-28 06:03:17
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 半导体存储
页数 文件大小 规格书
1页 200K
描述
Semiconductor & Storage Products Company

THGBM4T0DBOBAIJ 技术参数

生命周期:Active包装说明:BGA,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
JESD-30 代码:R-PBGA-B169端子数量:169
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
最大供电电压:3.6 V最小供电电压:2.7 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子位置:BOTTOMuPs/uCs/外围集成电路类型:SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
Base Number Matches:1

THGBM4T0DBOBAIJ 数据手册

  

与THGBM4T0DBOBAIJ相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
THGBM5G5A1JBAIR TOSHIBA Semiconductor & Storage Products Company

获取价格

THGBM5G5A1JBAIT TOSHIBA Flash Card

获取价格

THGBM5G6A2JBAIR TOSHIBA Semiconductor & Storage Products Company

获取价格

THGBM5G7A2JBAIM TOSHIBA Semiconductor & Storage Products Company

获取价格

THGBM5G7B2JBAIM TOSHIBA Flash Card

获取价格

THGBM5G8A4JBAIM TOSHIBA Semiconductor & Storage Products Company

获取价格