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THGBM4G6D2HBAIR

更新时间： 2024-02-06 05:01:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 外围集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 131K
描述
FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER

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THGBM4G6D2HBAIR 技术参数

生命周期：Active包装说明：BGA,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
JESD-30 代码：R-PBGA-B153端子数量：153
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
最大供电电压：3.6 V最小供电电压：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子位置：BOTTOMuPs/uCs/外围集成电路类型：SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
Base Number Matches：1

THGBM4G6D2HBAIR 数据手册

 浏览型号THGBM4G6D2HBAIR的Datasheet PDF文件第2页 
Page 1 of 2  
Card Interface : e･MMC
｜
MLC NAND
｜
TOSHIBA Semiconductor & Storage Products...  
Card Interface : e･MMC  
The interface of e･MMC™ is compliant with Version 4.41 of the JEDEC e･MMC™ standard for high-speed memory cards. Users  
can easily use e･MMC™ in various products as an embedded MMC memory device (e･MMC™-compliant). Since e･MMC™  
integrates a NAND flash memory and a controller chip in a single package, it can perform such controls as error corrections, wear  
leveling and bad-block management internally. This frees users from the worry of control operations otherwise required for NAND  
flash memory, making it easy to use.  
Product list of e･MMC™  
Power Supply  
e-MMC Speed  
Version (MHz)  
Operating Temperature  
Capacity  
Part Number  
Package  
(℃)  
Vcc(V)  
VccQ(V)  
2GB  
THGBM4G4D1HBAIR  
THGBM4G5D1HBAIR  
THGBM4G6D2HBAIR  
THGBM4G7D2GBAIE  
THGBM4G8D4GBAIE  
THGBM4G9D8GBAII  
4GB  
P-VFBGA153-1113-0.50-002  
P-TFBGA169-1216-0.50A4  
8GB  
1.65 to 1.95,  
2.7 to3.6  
16GB  
32GB  
64GB  
4.41  
to 52 2.7 to 3.6  
-25 to 85  
P-TFBGA169-1418-0.50A4  
P-FBGA169-1418-0.50-001  
128GB THGBM4T0DBGBAIJ  
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/memory/selection/nand/mlc/emmc/index.htm... 4/1/2012  
12

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