Datasheet > TGBLN4401-5DL8

TGBLN4401-5DL8

更新时间： 2024-04-09 19:01:43

品牌	Logo	应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
页数	文件大小	规格书
5页	695K
描述
48A, 40V, 31W, N Channel, Dual MOSFETs

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TGBLN4401-5DL8 数据手册

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFE

TGBLN4401-5DL8

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

f = 1 MHz

V_DS= 20V；I_D= 15A

Ciss

Coss

Crss

10 12 14 16 18 20

Qg(nC)

0.1

100

V_DS(V)

Fig 7 Capacitance Characteristics

Fig 8 Gate-Charge Characteristics

1.2

1.1

1.07

1.05

1.03

1.01

0.99

0.97

0.95

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

I_D= 250uA

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-75 -50 -25

25 _T5_(℃0₎75 100 125 150 175

T_J(℃)

Fig 9 Normalized Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

Fig 10 Normalized V_GS(th)vs. Junction

Temperature

Fig 11 Normalized Transient Thermal Impedance

Fig 12 Maximum Safe Operating Area

MTM0623A: September 2022 [2.1]

www.gmesemi.com

1 2 345

下载PDF

与TGBLN4401-5DL8相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TGBLN4402-3DL8	Galaxy Microelectronics	31A, 40V, 14.7W, N Channel, Dual MOSFETs	获取价格
TGBLN4402-5DL8	Galaxy Microelectronics	36A, 40V, 47W, N Channel, Dual MOSFETs	获取价格
TGBLN4403-5DL8	Galaxy Microelectronics	40V, Dual N Channel MOSFETs	获取价格
TGBLN4405-3DL8	Galaxy Microelectronics	40V, Dual N Channel MOSFETs	获取价格
TGBLN4405-5DL8	Galaxy Microelectronics	40V, Dual N Channel MOSFETs	获取价格
TGBLN4406-5DL8	Galaxy Microelectronics	40V, Dual N Channel MOSFETs	获取价格