5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 50 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大漏电流： | 60 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 17000 A | 最大通态电压： | 2.1 V |
| 最大通态电流： | 1300000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C | 断态重复峰值电压： | 1400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF91316C | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF913-16C | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1300000mA I(T), 1600V V(DRM), |
|
| TF913-16C | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.6KV V(DRM),1.3KA I(T),TO-200VAR74 |
|
| TF91318C | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF913-18C | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1300000mA I(T), 1800V V(DRM), |
|
| TF913-18C | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.8KV V(DRM),1.3KA I(T),TO-200VAR74 |
|
| TF913-18C | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1300000mA I(T), 1800V V(DRM), |
|
| TF91320C | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF913-20C | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1300000mA I(T), 2000V V(DRM), |
|
| TF913-20C | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1300000mA I(T), 2000V V(DRM), |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
