TF91512B

更新时间： 2024-09-15 22:19:51

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DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器开关
页数	文件大小	规格书
13页	239K
描述
Fast Switching Thyristor

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TF91512B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	200 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1700 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TF91512B 数据手册

TF915..B

Fast Switching Thyristor

Replaces December 1998 version, DS4279-3.0

DS4279-4.0 January 2000

APPLICATIONS

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

dV/dt 300V/µs

dI/dt

1400V

1700A

20000A

■ High Power Inverters And Choppers

■ UPS

■ Railway Traction

■ Induction Heating

■ AC Motor Drives

■ Cycloconverters

500A/µs

t_q

40µs

FEATURES

■ Double Side Cooling

■ High Surge Capability

■ High Voltage

VOLTAGE RATINGS

Type Number

Repetitive

Peak

Conditions

Voltages

V_DRMV_RRM

TF915 14B

1400

1200

1000

800

V_RSM= V_RRM+ 100V

I_DRM= I_RRM= 60mA

at V_RRMor V_DRM& T_vj

TF915 12B

TF915 10B

TF915 08B

TF915 06B

600

Lower voltage grades available.

Outline type code: MU169.

See Package Details for further information.

CURRENT RATINGS

Symbol

I_T(AV)

Parameter

Conditions

Max.

Units

Half sinewave, 50Hz, T_case= 80^oC

1080

Mean on-state current

RMS value

I_T(RMS)

Half sinewave, 50Hz, T_case= 80^oC

1700

1/13

12 3 4 5 6 7...13

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与TF91512B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TF915-12B	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1200V V(DRM),
TF915-12B	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74
TF915-12B	DYNEX	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1200V V(DRM),
TF915-12Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74
TF91514B	DYNEX	获取价格	Fast Switching Thyristor
TF915-14B	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1400V V(DRM),
TF915-14B	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74
TF9-151515%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 15uH, 15%, 1 Element
TF9-18018015%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 180uH, 15%, 1 Element
TF9-181815%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 18uH, 15%, 1 Element