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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.23 |
| 标称电路换相断开时间： | 40 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大漏电流： | 60 mA | 通态非重复峰值电流： | 17000 A |
| 最大通态电流： | 1500000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF915-08Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74 |
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| TF91510B | DYNEX |
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Fast Switching Thyristor |
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| TF915-10B | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1000V V(DRM), |
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| TF915-10B | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1000V V(DRM), |
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| TF915-10Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74 |
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| TF91512B | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
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| TF915-12B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| TF915-12B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74 |
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| TF915-12B | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1500000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| TF915-12Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.5KA I(T),TO-200VAR74 |
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