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TF913-18C

更新时间: 2024-01-31 11:35:13
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 74K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.8KV V(DRM),1.3KA I(T),TO-200VAR74

TF913-18C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83标称电路换相断开时间:50 µs
关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大漏电流:60 mA
通态非重复峰值电流:17000 A最大通态电压:2.1 V
最大通态电流:1300000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C断态重复峰值电压:1800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

TF913-18C 数据手册

  

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