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TE28F800CV-T90

更新时间: 2024-09-15 10:42:27
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 2501K
描述
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

TE28F800CV-T90 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.82最长访问时间:120 ns
其他特性:CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V; CAN BE CONFG AS 512K X 16; TOP BOOT BLOCK备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:NO耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,7
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3/5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,96K,128K最大待机电流:0.000008 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

TE28F800CV-T90 数据手册

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