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TE28F800F3B95

更新时间： 2024-09-14 15:54:11

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
53页	1242K
描述
512KX16 FLASH 2.7V PROM, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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TE28F800F3B95 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	95 ns
其他特性：	MIN 100,000 BLOCK ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	功能数量：	1
端子数量：	56	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	2.7 V	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TE28F800F3T120	ROCHESTER	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56
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TE-2Q0TM1MH2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 1000uH, 2%, 1 Element
TE-2Q0TR.05MH+/-2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 50uH, 2%, 1 Element
TE-2Q0TR.05MH2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 50uH, 2%, 1 Element