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TD350ID

更新时间: 2024-01-26 01:38:02
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
11页 165K
描述
Advanced IGBT/MOSFET Driver

TD350ID 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP14,.25
针数:14Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.79Is Samacsys:N
高边驱动器:YES接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G14JESD-609代码:e4
长度:8.65 mm功能数量:1
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C标称输出峰值电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP14,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:-10,16 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:26 V最小供电电压:9 V
标称供电电压:16 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

TD350ID 数据手册

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Timing Diagrams  
TD350  
5 Timing Diagrams  
Figure 3: Turn-on and turn-off  
Twin  
IN  
COFF  
Ta  
Ta  
VH level  
LVOFF  
OUT  
Twout  
Open  
VL level  
CLAMP  
VH level  
Miller plateau  
Clamp threshold  
Vge  
Vce  
VL level  
Figure 4: Minimum ON time  
Tin<Ta  
Ta<Tin<Twinmin  
Tin>Twinmin  
IN  
2.5V  
COFF  
Ta  
Ta  
Ta  
VH level  
LVOFF  
OUT  
VL level  
Open  
CLAMP  
Figure 5: Desaturation fault  
IN  
2.5V  
COFF  
Ta  
Ta  
Ta  
VH level  
LVOFF  
VL level  
7V  
OUT  
DESAT  
FAULT  
Desat Blanking Time  
open  
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