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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 驱动器双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 181K | |
描述 | ||
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | PLASTIC, DIP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
内置保护: | OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出电流流向: | SOURCE AND SINK | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 16 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | MOSFET Drivers |
最大供电电压: | 26 V | 标称供电电压: | 16 V |
表面贴装: | NO | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 断开时间: | 0.4 µs |
接通时间: | 2.2 µs | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
TD352IDT | STMICROELECTRONICS | Advanced IGBT/MOSFET Driver |
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TD352IN | STMICROELECTRONICS | Advanced IGBT/MOSFET Driver |
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TD-36.000MBD-T | ETC | OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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TD-36.000MBE-T | ETC | OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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TD-36.000MCD-T | ETC | OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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TD-36.000MCE-T | ETC | OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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