是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 1.17 | Is Samacsys: | N |
内置保护: | OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出电流流向: | SOURCE AND SINK | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 16 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
子类别: | MOSFET Drivers | 最大供电电压: | 26 V |
标称供电电压: | 16 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
断开时间: | 0.4 µs | 接通时间: | 2.2 µs |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TD352IN | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver | |
TD352ID | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TD352IN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver | |
TD-36.000MBD-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD | |
TD-36.000MBE-T | ETC |
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OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD | |
TD-36.000MCD-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD | |
TD-36.000MCE-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD | |
TD-36.000MDD-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD | |
TD-36.000MDE-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD | |
TD-37.500MBD-T | ETC |
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OSC MEMS 37.50MHZ CMOS SMD | |
TD-37.500MBE-T | ETC |
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OSC MEMS 37.50MHZ CMOS SMD | |
TD-37.500MCD-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 37.50MHZ CMOS SMD |