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TD375N20KOF

更新时间： 2024-02-27 21:05:32

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	413K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 573000mA I(T), 2000V V(RRM)

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TD375N20KOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	最大直流栅极触发电流：	250 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	快速连接描述：	G-GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	最大维持电流：	300 mA
最大漏电流：	100 mA	通态非重复峰值电流：	11600 A
最大通态电流：	573000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	重复峰值反向电压：	2000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TD375N20KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

Preliminary data

Netz-Thyristor-Modul

TT375N

Phase Control Thyristor Module

TT375N

TD375N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1800

V_DRM,V_RRM

2000 V

2200 V

1800

1900

2000 V

2200 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

900 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

375 A

573 A

T_C= 85°C

T_C= 52°C

11600 A

10600 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

672800 A²s

561800 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

120 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

2,02 V

1,25 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1800 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 600 A

v_T

0,85 V

0,56 mΩ

250 mA

1,5 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

100 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 24.09.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / BIP AC / 02-09-24, C. Drilling

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