生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.55 A | 最大漏源导通电阻: | 2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 15 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 2 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 20 ns | 最大开启时间(吨): | 20 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TD1004Y-2T1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 60V, 2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
TD1004Y-2T2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 60V, 2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
TD1004YT1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 60V, 2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
TD100A | TOPSTEK |
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Topstek Current Transducers | |
TD100M10 | NTE |
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SOLID TANTALUM | |
TD100M16 | NTE |
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SOLID TANTALUM | |
TD100M20 | NTE |
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SOLID TANTALUM | |
TD100M25 | NTE |
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SOLID TANTALUM | |
TD100M35 | NTE |
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SOLID TANTALUM | |
TD100M50 | NTE |
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SOLID TANTALUM |