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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.55 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 20 ns | 最大开启时间（吨）： | 20 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TD1004Y-2T2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 60V, 2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| TD1004YT1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 60V, 2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| TD100A | TOPSTEK |
获取价格 |
Topstek Current Transducers |
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| TD100M10 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
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| TD100M16 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
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| TD100M20 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
|
| TD100M25 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
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| TD100M35 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
|
| TD100M50 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
|
| TD100M6.3 | NTE |
获取价格 |
SOLID TANTALUM |
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