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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | ZIP |
| 包装说明： | ZIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 60 ns | JESD-30 代码： | R-PZIP-T24 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | OTHER DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 组织： | 4MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | ZIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC5116405CSJ-40 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM |
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| TC5116405CSJ-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM |
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| TC5116405CSJ-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM |
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| TC5116405CST-40 | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| TC5116405CST-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM |
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| TC5116440BSJ-60 | TOSHIBA |
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IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO26, SOJ-26, Dynamic RAM |
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| TC5116440BSJ-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO26, SOJ-26, Dynamic RAM |
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| TC5116440BST-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM |
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| TC5116440BST-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM |
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| TC5116445BSJ-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO26, SOJ-26, Dynamic RAM |
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