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TC511664BJ-80

更新时间: 2024-02-02 03:41:56
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
34页 1575K
描述
65,536 WORD x 16 BIT DYNAMIC RAM

TC511664BJ-80 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.77
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J40JESD-609代码:e0
长度:26.04 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified刷新周期:256
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC511664BJ-80 数据手册

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