是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | ZIP |
包装说明: | ZIP, | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.91 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PZIP-T40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 51.2 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | ZIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 座面最大高度: | 12.07 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC5116800ANJ-60 | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TC5116800ANJ-70 | TOSHIBA |
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IC 2M X 8 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO28, SOJ-28, Dynamic RAM | |
TC5116800ANT-60 | TOSHIBA |
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IC 2M X 8 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28, Dynamic RAM | |
TC5116800ANT-70 | TOSHIBA |
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IC 2M X 8 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28, Dynamic RAM | |
TC5116900AFT-60 | TOSHIBA |
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IC 2M X 9 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32, Dynamic RAM | |
TC5116900AFT-70 | TOSHIBA |
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IC 2M X 9 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32, Dynamic RAM | |
TC5116900AJ-70 | TOSHIBA |
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IC 2M X 9 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO32, SOJ-32, Dynamic RAM | |
TC5117400BFT-70 | TOSHIBA |
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IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, Dynamic RAM | |
TC5117400BSJ | TOSHIBA |
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4,194,304 WORD X 4 BIT DYNAMIC RAM | |
TC5117400BSJ-50 | TOSHIBA |
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IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, Dynamic RAM |