是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 针数: | 26/24 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.88 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.14 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.7 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC5117400BTR-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, Dynamic RAM |
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TC5117400BTR-70 | TOSHIBA |
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IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, Dynamic RAM |
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TC5117400BVK-50 | TOSHIBA |
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IC 4M X 4 OTHER DRAM, 50 ns, PDSO24, TSOP2-24, Dynamic RAM |
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TC5117400BVK-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO24, TSOP2-24, Dynamic RAM |
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TC5117400BZ-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PZIP24, ZIP-24, Dynamic RAM |
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TC5117400BZ-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 70 ns, PZIP24, ZIP-24, Dynamic RAM |
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TC5117400CSJ-50 | TOSHIBA |
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IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM |
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TC5117400CSJ-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM |
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TC5117400CST-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM |
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TC5117400CST-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM |
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