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TC5117800ANJ-60

更新时间: 2024-01-29 15:31:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
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1页 62K
描述
IC 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Dynamic RAM

TC5117800ANJ-60 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0长度:18.42 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

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