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TC5118165CFT-50

更新时间: 2024-02-24 13:52:58
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 134K
描述
IC 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44, Dynamic RAM

TC5118165CFT-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44针数:50
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC5118165CFT-50 数据手册

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