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TC5118160BFT-60

更新时间: 2024-02-02 00:04:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 219K
描述
IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50/44, Dynamic RAM

TC5118160BFT-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP针数:50/44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.31
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC5118160BFT-60 数据手册

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