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TC5118160CJ-60

更新时间: 2024-02-17 01:12:01
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 879K
描述
IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42, Dynamic RAM

TC5118160CJ-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42针数:42
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J42
长度:27.31 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:42字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC5118160CJ-60 数据手册

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