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TC5118165BFT-60

更新时间: 2024-01-17 21:48:05
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 248K
描述
IC 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50/44, Dynamic RAM

TC5118165BFT-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP针数:50/44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.3
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC5118165BFT-60 数据手册

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