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TC5117445BST

更新时间: 2024-09-24 07:34:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 390K
描述
IC 4M X 4 EDO DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM

TC5117445BST 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:4MX4
认证状态:Not Qualified技术:CMOS
Base Number Matches:1

TC5117445BST 数据手册

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