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TC511664BZL-80

更新时间: 2024-01-31 14:24:16
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
IC 64K X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PZIP40, 0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-40, Dynamic RAM

TC511664BZL-80 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP,针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.82
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PZIP-T40
JESD-609代码:e0长度:51.2 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:12.07 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TC511664BZL-80 数据手册

  

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