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TC5116405CSJ-60

更新时间： 2024-01-26 20:47:08

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	1051K
描述
IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM

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TC5116405CSJ-60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.38
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
长度：	17.15 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.7 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC5116405CST-40	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
TC5116405CST-60	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM
TC5116440BSJ-60	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO26, SOJ-26, Dynamic RAM
TC5116440BSJ-70	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 4 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO26, SOJ-26, Dynamic RAM
TC5116440BST-60	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM
TC5116440BST-70	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 4 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM
TC5116445BSJ-60	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 4 OTHER DRAM, 60 ns, PDSO26, SOJ-26, Dynamic RAM
TC511664B	TOSHIBA	获取价格	65,536 WORD x 16 BIT DYNAMIC RAM
TC511664BFT-10	TOSHIBA	获取价格	IC 64K X 16 OTHER DRAM, 10 ns, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40, Dynamic RAM
TC511664BFT-80	TOSHIBA	获取价格	IC 64K X 16 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40, Dynamic RAM