是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LSSOP, | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | 内置保护: | TRANSIENT |
接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码: | R-PDSO-G18 |
长度: | 6.5 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出电流流向: | SINK |
标称输出峰值电流: | 0.4 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LSSOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 1.55 mm | 最大供电电压: | 25 V |
最小供电电压: | 7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BCDMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 4.4 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TBD62084AFWG | TOSHIBA |
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TOSHIBA BiCD Integrated Circuit Silicon Monolithic | |
TBD62084APG | TOSHIBA |
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TOSHIBA BiCD Integrated Circuit Silicon Monolithic | |
TBD62183AFNG | TOSHIBA |
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TBD62304AFNG | TOSHIBA |
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TBD62304AFWG | TOSHIBA |
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Transistor Arrays | |
TBD62304APG | TOSHIBA |
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Transistor Arrays | |
TBD62308AFAG | TOSHIBA |
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Transistor Arrays | |
TBD62308AFG | TOSHIBA |
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Transistor Arrays | |
TBD62308APG | TOSHIBA |
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Transistor Arrays | |
TBD62381AFNG | TOSHIBA |
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