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T1589N24TOF

更新时间： 2024-11-09 07:05:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	267K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element

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T1589N24TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	标称电路换相断开时间：	300 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	300 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	通态非重复峰值电流：	28000 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	1560000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	3200 A	断态重复峰值电压：	2400 V
重复峰值反向电压：	2400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1589N24TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1589N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2200

2400

2600 V

2800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

2200

2400

2600 V

2800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

2300

2500

2700 V

2900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

3200 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

1589 A

2040 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 67 °C

32000 A

28000 A

Stossstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

5120 A²s*10³

3920 A²s*10³

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,45 V

1,38 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

1,10 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,237 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

400 A ≤ i_T≤ 7900 A

1,819E+00

2,508E-05

-2,208E-01

3,371E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

3 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6A, di_G/dt = 1,6A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6A/µs

prepared by: H.Sandmann

approved by: J.Przybilla

date of publication: 2007-09-06

revision:

SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther

A 121/98

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1589N26TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1
T1589N28TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM)
T1589N28TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1
T1590N	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T1590N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1
T1590N22TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
T1590N24TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1
T1590N24TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,
T1590N26TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1
T1590N26TOF VT	INFINEON	获取价格	T1590N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 100mm，高

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