Datasheet > T1590N28TOFVTHOSA1

T1590N28TOFVTHOSA1

更新时间： 2024-11-24 19:05:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	287K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T1590N28TOFVTHOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1590N28TOFVTHOSA1 数据手册

浏览型号T1590N28TOFVTHOSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号T1590N28TOFVTHOSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号T1590N28TOFVTHOSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号T1590N28TOFVTHOSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号T1590N28TOFVTHOSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号T1590N28TOFVTHOSA1的Datasheet PDF文件第7页

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1590N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2200

2400

2600 V

2800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

2200

2400

2600 V

2800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

2300

2500

2700 V

2900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

3200 A

1590 A

2290 A

3600 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

32000 A

28000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

5120 10³ A²s

3920 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,45 V

1,38 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

1,10 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,237 mΩ

500 A ≤ i_T≤ 8000 A

1,819E+00

2,508E-05

-2,208E-01

3,371E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

3 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6 A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-11

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

Seite/page

1/10

IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann

A 09/09

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与T1590N28TOFVTHOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1590N28TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
T15A1	EDAL	获取价格	T10A1
T15A2	EDAL	获取价格	T10A1
T15A3	EDAL	获取价格	T10A1
T15B1	EDAL	获取价格	T10A1
T15B12A thru T15B51A	VISHAY	获取价格	Surface-Mount PAR? Transient Voltage Suppressors High Temperature Stability and High Relia
T15B2	EDAL	获取价格	T10A1
T15B3	EDAL	获取价格	T10A1
T15B-SQ	JST	获取价格	具有0.64mm方形接线柱的2.54sb头可用于将任何2.54mm插座连接到PC板。它们也
T15C1	EDAL	获取价格	T10A1

与T1590N28TOFVTHOSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1590N28TOFVTHOSA1

T1590N28TOFVTHOSA1 技术参数

T1590N28TOFVTHOSA1 数据手册

与T1590N28TOFVTHOSA1相关器件

与T1590N28TOFVTHOSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1590N28TOFVTHOSA1

T1590N28TOFVTHOSA1 技术参数

T1590N28TOFVTHOSA1 数据手册

与T1590N28TOFVTHOSA1相关器件

与T1590N28TOFVTHOSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？