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T1590N28TOFVTXPSA1

更新时间： 2024-09-20 19:57:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	291K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,

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T1590N28TOFVTXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.64	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	3600 A	参考标准：	IEC-60747-6
断态重复峰值电压：	2800 V	重复峰值反向电压：	2800 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1590N28TOFVTXPSA1 数据手册

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1590N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2200

2400

2600 V

2800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

2200

2400

2600 V

2800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

2300

2500

2700 V

2900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

3200 A

1590 A

2290 A

3600 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

32000 A

28000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

5120 10³ A²s

3920 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,45 V

1,38 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

1,10 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,237 mΩ

500 A ≤ i_T≤ 8000 A

1,819E+00

2,508E-05

-2,208E-01

3,371E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

3 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6 A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-11

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann

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